पावर इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट

पावर इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट

पावर इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट एक प्रकार की सामग्री है जिसका उपयोग पावर मॉड्यूल, इनवर्टर और कन्वर्टर जैसे पावर इलेक्ट्रॉनिक घटकों के निर्माण में किया जाता है। वे आम तौर पर सिरेमिक या अन्य उच्च तापमान वाली सामग्री से बने होते हैं जो एक मजबूत, उच्च तापीय चालकता और विश्वसनीय विद्युत इन्सुलेशन प्रदान करते हैं। इन सबस्ट्रेट्स को बिजली इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए आवश्यक समर्थन और थर्मल प्रबंधन प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो उन्हें कुशलतापूर्वक और विश्वसनीय रूप से संचालित करने की अनुमति देता है।

पावर इलेक्ट्रॉनिक सबस्ट्रेट्स का उपयोग विभिन्न अनुप्रयोगों में किया जाता है, जैसे मोटर ड्राइव, नवीकरणीय ऊर्जा प्रणाली, इलेक्ट्रिक वाहन और अन्य पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोग। वे विशेष रूप से उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों को संभालने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं जहां कुशल संचालन के लिए थर्मल प्रबंधन महत्वपूर्ण है। उदाहरण के लिए, एल्यूमीनियम नाइट्राइड (AlN) या सिलिकॉन कार्बाइड जैसे उच्च तापमान वाले सिरेमिक तांबे जैसी धातुओं की तुलना में 10 गुना बेहतर गर्मी का संचालन कर सकते हैं, जो उन्हें बिजली इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट अनुप्रयोगों के लिए उत्कृष्ट सामग्री बनाता है।

अपने उच्च तापमान और तापीय चालकता गुणों के अलावा, पावर इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन प्रदान करते हैं, जो पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में आवश्यक है। विद्युत इन्सुलेशन सामग्री शॉर्ट सर्किट को रोकती है और उच्च वोल्टेज से होने वाले नुकसान से बचाती है, यह सुनिश्चित करती है कि बिजली इलेक्ट्रॉनिक घटक सुरक्षित और विश्वसनीय हैं।

कुल मिलाकर, पावर इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट्स पावर इलेक्ट्रॉनिक घटकों के निर्माण के लिए आवश्यक सामग्री हैं। उनके उच्च तापमान और तापीय चालकता गुण, उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन के साथ मिलकर, उन्हें बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श विकल्प बनाते हैं जिनके लिए उच्च विश्वसनीयता और कुशल थर्मल प्रबंधन की आवश्यकता होती है।

टोरबो® पावर इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट

आइटम: पावर इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट

सामग्री:Si3N4

रंग:ग्रे

मोटाई: 0.25-1 मिमी

सतह प्रसंस्करण: डबल पॉलिश

थोक घनत्व: 3.24g/㎤

सतह खुरदरापन Ra: 0.4μm

झुकने की ताकत: (3-बिंदु विधि): 600-1000 एमपीए

लोच का मापांक: 310Gpa

फ्रैक्चर क्रूरता (आईएफ विधि): 6.5 एमपीए･√एम

तापीय चालकता: 25°C 15-85 W/(m･K)

ढांकता हुआ हानि कारक:0.4

वॉल्यूम प्रतिरोधकता: 25°C >1014 Ω･㎝

ब्रेकडाउन ताकत: डीसी >15㎸/㎜